新华社上海2月2日音信,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的启上路分和进攻保证。记者从中国科学院微电子究诘所获悉,我国在天际告捷考证了首款国产碳化硅(SiC)功率器件,第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。 据中国科学院微电子究诘所刘新宇究诘员先容,功率器件是终端电能变换和截至的中枢,被誉为“电力电子系统的腹黑”,是最为基础、利用最为无为的器件之一。 跟着硅基功率器件的性能迫临极限,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,以其私有上风可得志空间电源系统高

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新华社上海2月2日音信,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的启上路分和进攻保证。记者从中国科学院微电子究诘所获悉,我国在天际告捷考证了首款国产碳化硅(SiC)功率器件,第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。

据中国科学院微电子究诘所刘新宇究诘员先容,功率器件是终端电能变换和截至的中枢,被誉为“电力电子系统的腹黑”,是最为基础、利用最为无为的器件之一。

跟着硅基功率器件的性能迫临极限,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,以其私有上风可得志空间电源系统高能效、微型化、轻量化需求,对新一代航天时刻发展具有进攻战术意思。

2024年11月15日,中国科学院微电子究诘所刘新宇、汤益丹团队和中国科学院空间利用工程与时刻中心刘彦民团队共同研制的碳化硅(SiC)载荷系统,搭乘天舟八号货运飞船飞向天际,开启了空间站轨谈科学检会之旅。

“本次搭载主要任务是对国产自研、高压抗放射的碳化硅(SiC)功率器件进行空间考证,并在航天电源中进行利用考证,同期进行概括放射效应等科学究诘,逐渐提高我国航天数字电源功率,相沿异日单电源模块达到千瓦级。”刘新宇说。

通过一个多月的在轨加电检会,碳化硅(SiC)载荷测试数据闲居,告捷进行了高压400V碳化硅(SiC)功率器件在轨检会与利用考证,在电源系统中静态、动态参数均合适预期。

业内大家觉得,我国在天际告捷考证第三代半导体材料制造的功率器件开云app官网下载入口,记号着在以“克”为计量的空间载荷需求下,碳化硅(SiC)功率器件有望牵引空间电源系统的升级换代,为异日我国在探月工程、载东谈主登月、深空探伤等范围提供新一代功率器件。



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